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「半导体专题讲座」芯片测试（Test）

2.半导体测试（工艺方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包装测试(Package Test)也包括可靠性测试，但它被称为终测试是因为它是在产品出厂前对电气特性进行的终测试（Final Test)。包装测试是重要的测试过程，包括所有测试项目。首先在DC/AC测试和功能（Function）测试中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度划分组别的Speed Sorting（ex.DRAM)模组测试（Module Test）是指在PCB上安装8-16个芯片后进行的，因此也称为上板测试（Board Test）。Module Test在DC/Function测试后进行现场测试，以确保客户能够在实际产品使用环境中筛选芯片。如果在这个过程中发现了不良的芯片，就可以换成良品芯片重新组成模块。DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）。重庆芯片导电胶

「半导体工程」半导体？这点应该知道：（8）Wafer测试&打包工程

芯片封装过程

1)背面磨削（BackGrind）

FAB（晶圆代工厂/Foundry）制作的厚晶片背面，用钻石轮研磨成所需厚度的薄晶片，使其成为薄半导体的过程。

2)晶片切割（WaferSaw）

把由多个芯片组成的晶片分离成单个芯片。

3)芯片贴装（DieAttach）

芯片贴装，也称芯片粘贴，从晶片上取下分离的良品单个芯片，并将其粘合到封装基板上。

4)打线结合（WireBond）

将芯片焊接区电子封装外壳基板进行电气连接。

5)塑封（Mold）

用热硬化性树脂EMC包裹基板，防止潮湿、热量、物理冲击等。

6)Marking

用激光刻印产制造商信息，国家，器件代码等。

7)置球（SolderBallMount）

通过基板下表面安装锡球(SolderBall)，实现PCB和Package的电气连接，

8)SawSingulation

使用封装切割用的钻石轮将基板分离单独的产品。惠州芯片测试导电胶#导电胶# #DDR导电胶# #测试导电胶# #LPDDR颗粒测试# #254BGA#。

「半导体专题讲座」芯片测试（Test）

3.半导体测试（功能方面）：直流参数测试（DCTest）/AC参数测试（ACTest）/功能测试（FunctionTest）

3-2.FunctionTest/ACTest

AC参数测试主要是测试一些交流特性参数,如传输时间设置时间和保持时间等交流参数测试实际上是通过改变一系列时间设定值的功能测试。将处在Pass/Fail临界点的时间作为确定的测试结果时间交流参数测试所需的硬件环境与动态功能测试用到的硬件环境相同。通过这种方式像DRAM测试时，把良品芯片按照速度和延来区分装入的桶（Bin），并进行分离的（Bin-Sorting）。BIN是指按SPPED对产品进行分类，并在TEST程序中对具有类似不良类型的FAIL（不良）产品进行分类，以便快速、方便地进行分析。

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Rubber SockeＰＣＲ的主要特点：

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>不会对接触面造成伤害。

>由于不是用点而是用面接触，所以耐位置偏移。直流电流、交流电流都能发挥优异的性能。

>电感低，高频特性优良。

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在需要低电感、低电阻及低接触特性的高频检查中发挥优异的性能。

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Non-Coaxial RubberDDR存储器的优点就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。

关于半导体工艺这点你要知道(3)光刻技术(Photo Lithography)工艺

3. 光刻工艺流程光刻工艺过程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。

1) 曝光Exposure

曝光工艺里有Mask Layer之间对准精确位置的对准（Alignment）过程和即通过向感光膜发射光线来形成图案的Exposure过程。经过这个过程图形就形成，根据需要曝光可以在三种模式下进行。

2) 显影Develop

显影（Develop）与胶片照相机冲洗照片的过程相同，此过程将确定图案的外观。经过显影过程后，曝光后会有选择地（Positive,Negative PR）去除暴露在光下的部分，未暴露的部分，从而形成电路图案。以上就是给大家介绍的在晶片上印半导体电路的光刻工艺。好像有很多混淆的地方。大家都了解了吗？，8大工程完成3个工程；剩下的5道工序。革恩半导体导电胶测试座： 结构简单材料损耗少 极高生产效率，可适应大规模生产。苏州导电胶有哪些

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关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺

3、除此之外，影响氧化膜生长速度的半导体尺寸越来越小，而氧化膜作为保护膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是决定半导体尺寸的重要因素。因此，为了减小氧化膜的厚度，需要协调氧化过程中的各种变量。我们在第2节中讨论过的湿法氧化，干法氧化也是其中变量的一种种类，除此之外，晶片的晶体结构，Dummy Wafer（为了减少正面接触气体或稍后接触气体部分的氧化程度差异，可以利用Dummy Wafer作为晶片来调整气体的均匀度）、掺杂浓度、表面缺陷、压力、温度和时间等因素都可能影响氧化膜的厚度。

和我一起来了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及这些氧化膜的形成速度受哪些东西的影响。半导体八大工序中的两个工序已经完成；下节我们将讨论在半导体上制作电路图案的蚀刻工艺。重庆芯片导电胶

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